Электрический ток в полупроводниках презентация

Электрический ток в полупроводникахПолупроводники в природе
 Все вещества в природе можно условно разделить наФизические свойства полупроводников
 	Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводимостиПримесная проводимость полупроводников
 Дозированное введение в чистый проводник примесей позволяет целенаправленноЭлектронные полупроводники  (n-типа)
  Термин «n-тип» происходит от слова «negative»,Дырочные полупроводники  (р-типа)
  Термин «p-тип» происходит от слова «positive»,Диод
   Полупроводниковый диод состоит из двух типов полупроводников — дырочногоТранзистор
 Транзистор — полупроводниковое устройство, которое состоит из двух областей с полупроводниками



Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Описание слайда:
Электрический ток в полупроводниках


Слайд 2
Описание слайда:

Слайд 3
Описание слайда:
Полупроводники в природе Все вещества в природе можно условно разделить на проводники электрического заряда, диэлектрики(непроводники) и вещества занимающие промежуточное положение между ними. Эти вещества называют полупроводниками. В обычных условиях они не проводят электрический заряд, но при изменении этих условий могут превратиться в проводники. К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений (арсенид галлия и др.). Почти все неорганические вещества окружающего нас мира — полупроводники. Самым распространённым в природе полупроводником является кремний, составляющий около 30 % земной коры.

Слайд 4
Описание слайда:
Физические свойства полупроводников Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры.

Слайд 5
Описание слайда:

Слайд 6
Описание слайда:

Слайд 7
Описание слайда:

Слайд 8
Описание слайда:

Слайд 9
Описание слайда:
Примесная проводимость полупроводников Дозированное введение в чистый проводник примесей позволяет целенаправленно изменять его проводимость. Поэтому для увеличение проводимости в чистые полупроводники внедряют примеси (легируют) , которые бывают донорные и акцепторные

Слайд 10
Описание слайда:
Электронные полупроводники (n-типа) Термин «n-тип» происходит от слова «negative», обозначающего отрицательный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников имеет примесную природу. В четырехвалентный полупроводник (например, кремний) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например, мышьяка). При легировании 4 – валентного кремния Si 5 – валентным мышьяком As, один из 5 электронов мышьяка становится свободным. В данном случае перенос заряда осуществляется в основном электронами, т.к. их концентрация больше чем дырок. Такая проводимость называется электронной. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются донорными. Проводимость N-полупроводников приблизительно равна:

Слайд 11
Описание слайда:
Дырочные полупроводники (р-типа) Термин «p-тип» происходит от слова «positive», обозначающего положительный заряд основных носителей. В четырехвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия). Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными. Если кремний легировать трехвалентным индием, то для образования связей с кремнием у индия не хватает одного электрона, т.е. образуется дополнительная дырка. В таком полупроводнике основными носителями заряда являются дырки, а проводимость называется дырочной. Проводимость P-полупроводников приблизительно равна:

Слайд 12
Описание слайда:

Слайд 13
Описание слайда:

Слайд 14
Описание слайда:

Слайд 15
Описание слайда:
Диод Полупроводниковый диод состоит из двух типов полупроводников — дырочного и электронного. В процессе контакта между этими областями из области с полупроводником n-типа в область с полупроводником p-типа проходят электроны, которые затем рекомбинируют с дырками. Вследствие этого возникает электрическое поле между двумя областями, что устанавливает предел деления полупроводников — так называемый p-n переход. Связь между разницей потенциалов и концентрацией примесей выражается следующей формулой: где VT — термодинамическое напряжение, Nn — концентрация электронов, Np — концентрация дырок, ni — собственная концентрация.

Слайд 16
Описание слайда:

Слайд 17
Описание слайда:
Транзистор Транзистор — полупроводниковое устройство, которое состоит из двух областей с полупроводниками p- или n-типа, между которыми находится область с полупроводником n- или p-типа. Таким образом, в транзисторе есть две области p-n перехода. Область кристалла между двумя переходами называют базой, а внешние области называют эмиттером и коллектором. Самой употребляемой схемой включения транзистора является схема включения с общим эмиттером, при которой через базу и эмиттер ток распространяется на коллектор. Биполярный транзистор используют для усиления электрического тока.

Слайд 18
Описание слайда:


Скачать презентацию на тему Электрический ток в полупроводниках можно ниже:

Похожие презентации