Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация презентация

Глава 4. Полевые транзисторы 4.1. Основные сведения и классификация

4.2. Устройство и принцип действия и ВАХ полевого транзистора с электронно-дырочным переходом

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

Статические характеристики полевого транзистора с р-п переходом

4.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором МДП- или МОП-транзистор представляет собой прибор, в котором металлический затвор изолирован слоем диэлектрика от канала, образованного в приповерхностном слое полупроводника. Принцип действия МДП транзистора основан на управлении пространственным зарядом полупроводника через слой диэлектрика. Различают МДП-транзисторы с индуцированным и со встроенным каналом. В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между истоком и стоком индуцируется (наводится) управляющим напряжением затвора. В этих транзисторах при разности потенциалов между истоком и затвором, равной нулю, электропроводность между стоком и истоком практически отсутствует.

4.3.1. МДП – транзистор с индуцированным каналом

4.3. ВАХ полевого транзистора (математическая модель)

4.5. Формальная схема замещения полевого транзистора и ее дифференциальные параметры

4.6. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора

4.7. Зависимость параметров полевого транзистора от режима работы и температуры