Описание слайда:
История
История
1955 — память на магнитных ядрах имеет тот же принцип чтения записи, что и MRAM
1989 — учёные IBM сделали ряд ключевых открытий о «гигантском магниторезистивном эффекте» в тонкоплёночных структурах.
2000 — IBM и Infeneon установили общую программу развития MRAM.
2002 — NVE объявляет о Технологическом Обмене с Cypress Semiconductor.
2003 — 128 кбит чип MRAM был представлен, изготовленный по 0,18 микрометров технологии.
2004
Июнь — Infeneon анонсирует 16-Мбит опытный образец, основанный на 0,18 микрометров технологии
Сентябрь — MRAM становится стандартным продуктом в Freescale, которая начала испытывать MRAM.
Октябрь — Тайваньские разработчики MRAM печатают 1 Мбит элементы на TSMC.
Октябрь — Micron бросает MRAM, обдумывает другие памяти.
Декабрь — TSMC, NEC, Toshiba описывают новые ячейки MRAM.
Декабрь — Renesas Technology разрабатывают Высокоскоростную, Высоконадёжную Технологию MRAM.
2005
Январь — Cypress испытывает MRAM, использует NVE IP.
Март — Cypress продаёт дочернюю компанию MRAM.
Июнь — Honeywell сообщает таблицу данных для 1-Мбит радиационно-устойчивой MRAM, используя 0,15 микрометров технологию.
Август — рекорд MRAM:
Ячейка памяти работает на 2ГГц.
Ноябрь — Renesas Technology и Grandis сотрудничают в Разработке 65 нм MRAM, применяя Вращательно Крутящее Перемещение.
Декабрь — Sony представляет первую лабораторию производящую вращательно-крутящее-перемещение MRAM, которая использует вращательно-поляризованный ток через туннельный магниторезистивный слой записать данные. Этот метод потребляет меньше энергии и более расширяемый чем обыкновенная MRAM. C дальнейшими преимуществами в материалах, этот процесс должен позволять для плотностей больших чем те возможные в DRAM.
Декабрь — Freescale Semiconductor Inc. анонсирует MRAM, которая использует магниевый оксид, лучше, чем алюминиевый оксид, позволяющий делать тоньше изолирующий туннельный барьер и улучшенное битовое сопротивление в течение цикла записи, таким образом, уменьшая требуемый ток записи.
2006
Февраль — Toshiba и NEC анонсировали 16 Мбит чип MRAM с новой «энерго-разветвляющейся» конструкцией. Они добились частоты перемещения в 200 МБ/с, с временем цикла 34 нс — лучшая производительность любого чипа MRAM. Они также гордятся наименьшим физическим размером в своём классе — 78,5 квадратных миллиметров — и низким требованием энергии 1,8 вольт.
Июль — 10 Июля, Austin Texas — Freescale Semiconductor начинают торговать 4-Mbit чипами MRAM, которые продаются приблизительно за $25.00 за чип.