Применение клеточных автоматов в математическом моделировании технологии микро- и наноэлектроники презентация

Содержание


Презентации» Шаблоны, фоны презентаций» Применение клеточных автоматов в математическом моделировании технологии микро- и наноэлектроники
Применение клеточных автоматов в математическом моделировании технологии микро- и наноэлектроники
 ЧастьСодержание
 Предварительные замечания
 Семантика клеточных автоматов (КА) на гексагональной сетке
 КА-модельI. Предварительные замечанияII. Семантика КА на гексагональной сеткеФуллереновая сеткаКубированная сфераМодель гетерофазной бимолекулярной реакцииТаблица парных переходовIII. КА-модель ионной имплантации: концептуальный анализ и формализацияКванты времени и пространстваГеометрия поля и шаблона окрестности КАСостояние ячейки
 Часть переменных относится к ионно-пролетной подмодели, другая – кКлассификация «столкновений» в ионно-пролетной модели. Правила первого полухода.
 В контексте КАВторой полуход: правила переходаIV. КА-модель ионной имплантации: параметризация и результатыРасчет вероятностейРасчет потерь энергииV. КА-модель образования нанокластеров кремния в матрице SiOx (x<2)Алгоритм поиска кластеровVI. Заключительные замечания
 КА-моделирование особенно плодотворно в области технологии микроэлектроники;
 На



Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Описание слайда:
Применение клеточных автоматов в математическом моделировании технологии микро- и наноэлектроники Часть II: Клеточно-автоматное моделирование физико-химических процессов микро- и наноэлектроники


Слайд 2
Описание слайда:
Содержание Предварительные замечания Семантика клеточных автоматов (КА) на гексагональной сетке КА-модель ионной имплантации: концептуальный анализ и формализация КА-модель ионной имплантации: параметризация и результаты КА-модель образования нанокластеров кремния в матрице SiOx (x<2) Заключительные замечания

Слайд 3
Описание слайда:
I. Предварительные замечания

Слайд 4
Описание слайда:

Слайд 5
Описание слайда:

Слайд 6
Описание слайда:

Слайд 7
Описание слайда:
II. Семантика КА на гексагональной сетке

Слайд 8
Описание слайда:

Слайд 9
Описание слайда:

Слайд 10
Описание слайда:

Слайд 11
Описание слайда:

Слайд 12
Описание слайда:

Слайд 13
Описание слайда:

Слайд 14
Описание слайда:

Слайд 15
Описание слайда:

Слайд 16
Описание слайда:
Фуллереновая сетка

Слайд 17
Описание слайда:
Кубированная сфера

Слайд 18
Описание слайда:
Модель гетерофазной бимолекулярной реакции

Слайд 19
Описание слайда:
Таблица парных переходов

Слайд 20
Описание слайда:

Слайд 21
Описание слайда:

Слайд 22
Описание слайда:

Слайд 23
Описание слайда:
III. КА-модель ионной имплантации: концептуальный анализ и формализация

Слайд 24
Описание слайда:

Слайд 25
Описание слайда:
Кванты времени и пространства

Слайд 26
Описание слайда:
Геометрия поля и шаблона окрестности КА

Слайд 27
Описание слайда:
Состояние ячейки Часть переменных относится к ионно-пролетной подмодели, другая – к процессам первичного дефектообразования, что является связующим звеном к медленной подмодели. Для хранения величин в программе SoftCAM удобно использовать тип byte.

Слайд 28
Описание слайда:
Классификация «столкновений» в ионно-пролетной модели. Правила первого полухода. В контексте КА «столкновение» - это результирующее изменение положения и/или импульса иона в результате одного или нескольких «физических» столкновений с атомами мишени в пределах ячейки КА

Слайд 29
Описание слайда:
Второй полуход: правила перехода

Слайд 30
Описание слайда:
IV. КА-модель ионной имплантации: параметризация и результаты

Слайд 31
Описание слайда:
Расчет вероятностей

Слайд 32
Описание слайда:
Расчет потерь энергии

Слайд 33
Описание слайда:

Слайд 34
Описание слайда:

Слайд 35
Описание слайда:
V. КА-модель образования нанокластеров кремния в матрице SiOx (x<2)

Слайд 36
Описание слайда:

Слайд 37
Описание слайда:

Слайд 38
Описание слайда:

Слайд 39
Описание слайда:

Слайд 40
Описание слайда:
Алгоритм поиска кластеров

Слайд 41
Описание слайда:

Слайд 42
Описание слайда:

Слайд 43
Описание слайда:
VI. Заключительные замечания КА-моделирование особенно плодотворно в области технологии микроэлектроники; На этапе конструирования КА-модели важно наладить диалог со специалистами предметной области, которые привыкли иметь дело с непрерывными моделями, отчего возможно недопонимание; на примере двух последних КА-моделей видно, как сложно вводить новые термины («столкновение», «диффузионный скачок») или новое условное понимание старых терминов; Как всегда, сложен вопрос параметризации (не всегда помогает даже изощренная процедура, включающая дорасчетное решение уравнений и обращающая к низкоуровневым моделям/результатам); многие параметры приходится подбирать, что сопряжено с серией долговременных пробных запусков КА-расчета


Скачать презентацию на тему Применение клеточных автоматов в математическом моделировании технологии микро- и наноэлектроники можно ниже:

Похожие презентации