Диоды и гетеропереходы презентация
Содержание
- 2. Полупроводниковая емкость (варикап)
- 4. Добротность варикапа
- 6. Выпрямительные диоды
- 10. Конструкция диодов
- 14. Туннельный и обращенный диоды
- 15. Проанализируем особенности вольт-амперной характеристики туннельного диода. Для этого рассмотрим p+-n+ переход,
- 16. С позиции анализа токов, как обычного диода на основе p-n перехода
- 20. Рис. 4.17. Схематическое изображение туннелирования волнового пакета через потенциальный барьер Возьмем
- 21. Внутри потенциального барьера Внутри потенциального барьера Решение для волновых
- 22. В этом случае для вероятности туннельного перехода Т получаем: В этом
- 23. Здесь fC, fV – неравновесные функции распределения для электронов в зоне
- 24. Отметим, что туннельный диод имеет высокие значения максимальной граничной частоты fmax
- 25. Рис. 4.19. Вольт-амперная характеристика германиевого обращенного диода ГИ403 Рис. 4.19. Вольт-амперная
- 26. Гетеропереходы Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа
- 27. Рис. 2.13. Зонные диаграммы гетеропереходов при различных комбинациях Eg и
- 28. Для построении зонных диаграмм, детального анализа распределение электрического поля и потенциала
- 29. Таблица 2 Таблица 2
- 30. Приведем в контакт германий pGe и арсенид галия nGaAs Приведем в
- 31. Рис. 2.13. Зонная диаграмма гетероперехода pGe – nGaAs в равновесных условиях
- 32. Рассмотрим зонную диаграмму гетероперехода из этих же материалов, германия и арсенида
- 33. Аналогичным образом можно построить зонные диаграммы для гетеропереходов при любых комбинациях
- 34. Распределение электрического поля и потенциала в области пространственного заряда для гетероперехода
- 35. Полная ширина области пространственного заряда гетероперехода W равная W = W1n
- 36. Рис. 2.16. Распределение электрического поля и потенциала в области пространственного заряда
- 37. Рис. 2.17. Зонные диаграммы гетероперехода nGe – pGaAs при положительном V
- 38. Для различных типов гетеропереходов экспоненциальная зависимость тока от напряжения в виде
- 39. Поскольку арсенид галлия более широкозонный полупроводник, чем германий, то собственная концентрация
- 40. Рис. Зонная диаграмма гетероперехода, иллюстрирующая двумерное квантование. Рис. Зонная диаграмма гетероперехода,
- 41. Скачать презентацию
Слайды и текст этой презентации