Элементарные процессы роста кристаллов (лекция 2) презентация

Содержание


Презентации» Химия» Элементарные процессы роста кристаллов (лекция 2)
Лекция 2 Элементарные процессы роста кристалловЭнергетические условия кристаллизацииЭнергетические условия кристаллизацииЭнергетические условия кристаллизации
 Gж=Gкр →  Tпл 
 ∆G=Gж-тв
 ∆T=Tпл–T крЭнергетические условия кристаллизацииЭнергетические условия кристаллизацииЭнергетические условия кристаллизации
 Фаза – однородная часть,  характеризующаяся определенным составом,Типы фазовых диаграммФазовая диаграмма Системы Y2O3-Al2O3Кинетика кристаллизацииСкорость ЧЦККинетика кристаллизации Определение ЧЦКЛинейная скорость кристаллизации  ЛСКВзаимное расположение ЧЦК и ЛСКВзаимное расположение ЧЦК и ЛСКВзаимное расположение ЧЦК и ЛСКВлияние давления на ЧЦК и ЛСКОпределение температурного интервала кристаллизации  методом принудительной кристаллизацииСуммарная(объемная) скорость кристаллизацииОгранка кристалла и скорость роста гранейОгранка кристалла и скорость роста граней Геометрический отборОгранка свободно растущего кристаллаОгранка свободно растущего кристаллаОгранка свободно растущего кристаллаОгранка кристалловОгранка кристалловОгранка кристалловОгранка кристалловОгранка кристалловОгранка кристаллов Принцип Гиббса-Вульфа- КюриТеорема ВульфаМетод Шубникова определения равновесной формы кристаллаЭлементарные процессы роста кристалловРост шероховатых гранейЭлементарные процессы роста кристалловРост атомарно гладких гранейДислокационный механизм роста гладких гранейДислокационный механизм роста гладких гранейУстановка «Гранат-2», компоненты теплового узла иМонокристалл алюмо-иттриевого граната, легированного ванадиемСрезы були алюмоиттриевого граната с ванадием 
 а,б,в — срез кристаллаСкорость роста, пирамиды ростаСвойства кристаллов соединений Al2O3-Y2O3Энергетические условия кристаллизации



Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Описание слайда:
Лекция 2 Элементарные процессы роста кристаллов


Слайд 2
Описание слайда:
Энергетические условия кристаллизации

Слайд 3
Описание слайда:
Энергетические условия кристаллизации

Слайд 4
Описание слайда:
Энергетические условия кристаллизации Gж=Gкр → Tпл ∆G=Gж-тв ∆T=Tпл–T кр - степень переохлаждения

Слайд 5
Описание слайда:
Энергетические условия кристаллизации

Слайд 6
Описание слайда:
Энергетические условия кристаллизации

Слайд 7
Описание слайда:
Энергетические условия кристаллизации Фаза – однородная часть, характеризующаяся определенным составом, кристаллической решеткой и отделенная от других частей поверхностью раздела Термодинамическая степень свободы - число переменных - С (T, P, концентрация компонентов) Правило фаз Гиббса : с=n+p-f P=1 (T) Для двойных систем f=3 – максимально возможное кол. Фаз.

Слайд 8
Описание слайда:

Слайд 9
Описание слайда:
Типы фазовых диаграмм

Слайд 10
Описание слайда:
Фазовая диаграмма Системы Y2O3-Al2O3

Слайд 11
Описание слайда:
Кинетика кристаллизации

Слайд 12
Описание слайда:
Скорость ЧЦК

Слайд 13
Описание слайда:
Кинетика кристаллизации Определение ЧЦК

Слайд 14
Описание слайда:
Линейная скорость кристаллизации ЛСК

Слайд 15
Описание слайда:
Взаимное расположение ЧЦК и ЛСК

Слайд 16
Описание слайда:
Взаимное расположение ЧЦК и ЛСК

Слайд 17
Описание слайда:
Взаимное расположение ЧЦК и ЛСК

Слайд 18
Описание слайда:
Влияние давления на ЧЦК и ЛСК

Слайд 19
Описание слайда:
Определение температурного интервала кристаллизации методом принудительной кристаллизации

Слайд 20
Описание слайда:
Суммарная(объемная) скорость кристаллизации

Слайд 21
Описание слайда:
Огранка кристалла и скорость роста граней

Слайд 22
Описание слайда:
Огранка кристалла и скорость роста граней Геометрический отбор

Слайд 23
Описание слайда:
Огранка свободно растущего кристалла

Слайд 24
Описание слайда:
Огранка свободно растущего кристалла

Слайд 25
Описание слайда:
Огранка свободно растущего кристалла

Слайд 26
Описание слайда:
Огранка кристаллов

Слайд 27
Описание слайда:
Огранка кристаллов

Слайд 28
Описание слайда:
Огранка кристаллов

Слайд 29
Описание слайда:
Огранка кристаллов

Слайд 30
Описание слайда:
Огранка кристаллов

Слайд 31
Описание слайда:
Огранка кристаллов Принцип Гиббса-Вульфа- Кюри

Слайд 32
Описание слайда:
Теорема Вульфа

Слайд 33
Описание слайда:
Метод Шубникова определения равновесной формы кристалла

Слайд 34
Описание слайда:
Элементарные процессы роста кристаллов

Слайд 35
Описание слайда:
Рост шероховатых граней

Слайд 36
Описание слайда:
Элементарные процессы роста кристаллов

Слайд 37
Описание слайда:
Рост атомарно гладких граней

Слайд 38
Описание слайда:
Дислокационный механизм роста гладких граней

Слайд 39
Описание слайда:
Дислокационный механизм роста гладких граней

Слайд 40
Описание слайда:
Установка «Гранат-2», компоненты теплового узла и

Слайд 41
Описание слайда:
Монокристалл алюмо-иттриевого граната, легированного ванадием

Слайд 42
Описание слайда:
Срезы були алюмоиттриевого граната с ванадием а,б,в — срез кристалла (просветленная пластина), г — готовое изделие (затвор)

Слайд 43
Описание слайда:
Скорость роста, пирамиды роста

Слайд 44
Описание слайда:
Свойства кристаллов соединений Al2O3-Y2O3

Слайд 45
Описание слайда:
Энергетические условия кристаллизации


Скачать презентацию на тему Элементарные процессы роста кристаллов (лекция 2) можно ниже:

Похожие презентации