Фотолитография. Оборудование для проекционной фотолитографии презентация

Оборудование для проекционной фотолитографии

Фотолитография Метод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике. Является одним из важнейших и дорогостоящих этапов микроэлектронного производства.

Этапы фотолитографии

Очистка и подготовка поверхности При наличии на пластине загрязнений, пластина может быть отмыта в ходе двухступенчатого процесса: очистка ацетоном, для устранения органических загрязнений и последующее полоскание в изопропаноле для удаления оставшегося ацетона.

Нанесение фоторезиста Существует 3 основных метода для нанесения фоторезиста: Центрифугирование Погружение в фотогрезист Аэрозольное распыление

Предварительное задубливание После нанесения резиста необходимо провести его предварительную сушку (задубливание). Для этого образец выдерживается несколько минут в печи, при температуре 100—120° С.

Экспонирование Процесс экспонирования заключается засветке фоторезиста через фотошаблон, светом видимого или ультрафиолетового диапазона. Наиболее стандартными длинами волны экспонирования в фотолитографии являются i-линия (365нм), h-линия (405нм) и g-линия (436нм).

Основные параметрами экспонирования Основными параметрами экспонирования являются: Длина волны Время экспонирования Мощность источника излучения

Проявление фоторезиста и обработка поверхности Фоторезист снимают специальной жидкостью снимателем и поверхность подвергается травлению, ионной имплантации или электроосаждению.

Снятие фоторезиста Финальным этапом процесса фотолитографии является снятие фоторезиста. Для удаления фоторезиста с обработанной поверхности используют специальную жидкость — сниматель.

Фотошаблоны Представляет собой стеклянную пластину с нанесенным на ее поверхности маскирующим слоем – покрытием, образующим трафарет с прозрачными и непрозрачными для оптического излучения участками.

Фотошаблоны К фотошаблонам предъявляется комплекс требований, к которым, в первую очередь, следует отнести следующие: Высокая оптическая плотность маскирующего материала Толщина маскирующего материала – не более 100 нм Отражательная способность не выше 15% Высокая разрешающая способность Малая микро-дефектность, стойкость к истиранию

Фоторезисты Светочувствительные вещества, изменяющие свои свойства, прежде всего растворимость, под действием света.

Фоторезисты Позитивные — сульфо-эфиры ортонафтохинондиазида в качестве светочувствительного вещества и новолачные, феноло- или крезолоформальдегидные смолы в качестве пленкообразователя. Негативные — циклоолефиновые каучуки, использующие в качестве сшивающих агентов диазиды; слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот или эфирами коричной кислоты; поливинилциннамат.

Виды фотолитографии Различают контактный, бесконтактный и проекционный способы фотолитографии. При контактном способе фотошаблон и пластина соприкасаются При бесконтактном между фотошаблоном и пластиной оставляют зазор 10 – 25 мкм При проекционном способе контакта фотошаблона и подложки нет.

Виды фотолитографии

Виды фотолитографии

Автоматическая установка совмещения и мультипликации ЭМ-5084Б Установка предназначена для совмещения и помодульного экспонирования полупроводниковых пластин при производстве БИС, СБИС и других изделий электронной техники.

SUSS MJB4 Ручная установка совмещения и экспонирования для фотолитографии базового уровня. Обработка пластин до 100мм

SUSS MA200 Автоматическая система совмещения и экспонирования для массового объема выпуска. Производительность до 150 пластин в час. Усовершенствованная система транспорта позволяет достичь рекордной производительности даже на 200-мм подложках.

Сравнение установок