Нитрид индия – новый материал для оптоэлектроники презентация

Содержание


Презентации» Физика» Нитрид индия – новый материал для оптоэлектроники
Нитрид индия – новый материал для оптоэлектроники
 Бушуйкин ПавелМотивация исследований
 Возрастающий интерес к нитридам III группы, которые за счетСодержание
 1. История получения нитрида индия
 2. Кристаллическая структура InN
 3.1.История получения
 Первая попытка синтеза InN: Juza и Hahn в 19381.История получения
 Рост толстых пленок InN с гораздо более низкой концентрацией2. Структура типа вюрцита
 В обычных условиях нитриды III группы кристаллизуются2. Структура типа цинковой обманкиСравнение вюрцита и сфалерита3. Подложки и буферы.4. Зонная структура4. Зонная структура5. Коэффициент поглощения5. Спектры фотовозбуждения InN.Обработка спектров фотовозбуждения InN.Спасибо за внимание.Список литературы
 Junqiao Wu. When group-III nitrides go infrared: New propertiesСхема измерения спектров и кинетики фотопроводимостиКинетика фотопроводимости InNСхема измерения кинетики фотолюминесценции InN  методом “up-conversion”Кинетика фотолюминесценции.Спектр и время релаксации фотолюминесценции.
 =e*n*/me
 =e*n*/me
 /=R/RСпектр и время релаксации фотолюминесценции



Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Описание слайда:
Нитрид индия – новый материал для оптоэлектроники Бушуйкин Павел


Слайд 2
Описание слайда:
Мотивация исследований Возрастающий интерес к нитридам III группы, которые за счет своей прямозонности и ширины запрещенной способны эффективно работать в диапазоне от инфракрасной до ультрафиолетовой области. В частности нитрид индия, имея ширину запрещенной зоны 0.6 эВ, является перспективным для создания излучателя, работающего в телевизионных оптических линиях связи, а также инфракрасных детекторов и лазеров. На данный момент технология роста чистого нитрида индия находиться в развитии. Самые хорошие образцы имеют концентрацию свободных носителей порядка 1017см-3 и являются вырожденными. Это создает проблему в изучении его фотоэлектрических свойств. Большинство данных об его оптических и фотовольтаических свойствах и теорий об структуре образцов противоречивы.

Слайд 3
Описание слайда:
Содержание 1. История получения нитрида индия 2. Кристаллическая структура InN 3. Подложки и буферы 4. Зонная структура 5. Спектры поглощения, ФЛ и ФП.

Слайд 4
Описание слайда:
1.История получения Первая попытка синтеза InN: Juza и Hahn в 1938 году. Порошок InN из InF6(NH4)3 Самый ранний успех в росте InN с хорошими электрическими свойствами: Hovel и Cuomo в 1972. Пленки поликристаллического n-InN на сапфировых подложках. Метод реактивного высокочастотного распыления. Концентрация свободных носителей (5-8)*1018см-3 подвижность 250 ± 50 см2/(В·с). Трейнор и Роуз сообщили, что InN прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,7 эВ.

Слайд 5
Описание слайда:
1.История получения Рост толстых пленок InN с гораздо более низкой концентрацией свободных электронов (< 1018см-3) и высокой подвижности электронов (>2000см2/(В·с)) имеет важное значение для прогресса в понимании свойств этого материала. При комнатной температуре фундаментальная запрещенная зона этого типа высококачественного InN измерялась около 1,5 и 1,1 эВ, 0,9 эВ, 0,77 эВ, 0,7-1,0 эВ, 0,7 эВ и, наконец, измерения пришли к 0,64. Сейчас пленки InN более высокого качества выращиваются с помощью методов MBE и MOCVD.

Слайд 6
Описание слайда:
2. Структура типа вюрцита В обычных условиях нитриды III группы кристаллизуются в термодинамически стабильной гексагональной фазе вюрцита. a=0.3533 нм; c=0.5693 нм

Слайд 7
Описание слайда:
2. Структура типа цинковой обманки

Слайд 8
Описание слайда:
Сравнение вюрцита и сфалерита

Слайд 9
Описание слайда:
3. Подложки и буферы.

Слайд 10
Описание слайда:
4. Зонная структура

Слайд 11
Описание слайда:
4. Зонная структура

Слайд 12
Описание слайда:
5. Коэффициент поглощения

Слайд 13
Описание слайда:
5. Спектры фотовозбуждения InN.

Слайд 14
Описание слайда:
Обработка спектров фотовозбуждения InN.

Слайд 15
Описание слайда:
Спасибо за внимание.

Слайд 16
Описание слайда:
Список литературы Junqiao Wu. When group-III nitrides go infrared: New properties and perspectives. J. Appl. Phys. 106, 011101 (2009) Ashraful Ghani Bhuiyan, Akihiro Hashimoto, and Akio Yamamoto. Indium nitride (InN): A review on growth, characterization, and properties. J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003) В.Ю.Давыдов, А.А.Клочихин, ФТП 38, 897 (2004)

Слайд 17
Описание слайда:
Схема измерения спектров и кинетики фотопроводимости

Слайд 18
Описание слайда:
Кинетика фотопроводимости InN

Слайд 19
Описание слайда:
Схема измерения кинетики фотолюминесценции InN методом “up-conversion”

Слайд 20
Описание слайда:
Кинетика фотолюминесценции.

Слайд 21
Описание слайда:
Спектр и время релаксации фотолюминесценции. =e*n*/me =e*n*/me /=R/R

Слайд 22
Описание слайда:
Спектр и время релаксации фотолюминесценции


Скачать презентацию на тему Нитрид индия – новый материал для оптоэлектроники можно ниже:

Похожие презентации