Структурные радиационные дефекты в полупроводниковых приборах (ПП) и интегральных схемах (ИС) презентация
Содержание
- 2. ОБРАЗОВАНИЕ ПЕРВИЧНЫХ ДЕФЕКТОВ Структурные радиационные дефекты в ПП и ИС
- 3. ОБРАЗОВАНИЕ ВТОРИЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ Дивакансии V20, V2-, V2+, V2- - Ассоциация
- 4. ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ Концентрация свободных носителей заряда –
- 5. Эффекты смещения представляют собой перемещение атомов из своего нормаль-ного положения в
- 6. Максимальный уровень воздействующего фактора, при котором все критериальные параметры ИЭТ находятся
- 7. Классификация процессов по их продолжительности и виду изменений, вызываемых ими в
- 8. Обобщенная модель воздействия ИИ на параметры и свойства ИЭТ
- 9. Конструирование РЭА, стойкой к ионизирующему облучению, предусматривает выбор материалов и элементной
- 10. Воздействие ИИ на изделие (материал) проявляется в виде радиационного и ионизационного
- 11. Нейтронное излучение в основном является причиной радиационных дефектов, обусловленных физико-химическими преобразованиями
- 12. Группа А: Доминирующий радиационный эффект - эффекты смещения, связанные с
- 13. Группа В: Доминирующий радиационный эффект - накопление заряда в чувствительных областях
- 14. Группа С: Доминирующий радиационный эффект - ионизация конструкционных материалов ИЭТ, приводящая
- 15. Взаимное влияние этих трех главных радиационных эффектов при потоках, характерных
- 16. Скачать презентацию
Слайды и текст этой презентации
Скачать презентацию на тему Структурные радиационные дефекты в полупроводниковых приборах (ПП) и интегральных схемах (ИС) можно ниже: