Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур презентация


Презентации» Химия» Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур
НаноэлектроникаПринципиальное отличие нанообразований, ограниченных нанометровыми размерами в трёх измерениях (квантовые точки,Наногетероэпитаксиальные структуры (НГЭС) представляют собой композит изготовленный на пластине из монокристаллическогоУстановки МВЕОсобенности молекулярно-лучевой эпитаксии:
 Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии:
 - Испарение всех матричных элементов,Технология (ЖФЭ с ИОП) выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точкамиЧем обусловлено возрождение методов ЖФЭ?
 Чем обусловлено возрождение методов ЖФЭ?
 Выращивание,Методы MЛЭ и MOCVD, нашедших широкое применение для получения различных НГЭС,Установки LPE PCSСравнение технологии получения наногетероструктур на основе соединений III-V



Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Описание слайда:
Наноэлектроника


Слайд 2
Описание слайда:

Слайд 3
Описание слайда:

Слайд 4
Описание слайда:

Слайд 5
Описание слайда:

Слайд 6
Описание слайда:

Слайд 7
Описание слайда:

Слайд 8
Описание слайда:

Слайд 9
Описание слайда:

Слайд 10
Описание слайда:

Слайд 11
Описание слайда:

Слайд 12
Описание слайда:

Слайд 13
Описание слайда:

Слайд 14
Описание слайда:

Слайд 15
Описание слайда:

Слайд 16
Описание слайда:

Слайд 17
Описание слайда:
Принципиальное отличие нанообразований, ограниченных нанометровыми размерами в трёх измерениях (квантовые точки, КТ) от нанообразований, ограниченных в одном измерении (квантовые ямы, КЯ) или в двух измерениях (квантовые нити, КН) заключается в том, что в них свойства электронов и дырок нельзя описать на основе представлений о газе квазичастиц, которые используются для описания КЯ и КН, т.к. движение электронов и дырок рассматривается в трёхмерном ограниченном пространстве и КТ представляются как сверхатомы или сверхантиатомы в зависимости от знака носителей заряда в них. Принципиальное отличие нанообразований, ограниченных нанометровыми размерами в трёх измерениях (квантовые точки, КТ) от нанообразований, ограниченных в одном измерении (квантовые ямы, КЯ) или в двух измерениях (квантовые нити, КН) заключается в том, что в них свойства электронов и дырок нельзя описать на основе представлений о газе квазичастиц, которые используются для описания КЯ и КН, т.к. движение электронов и дырок рассматривается в трёхмерном ограниченном пространстве и КТ представляются как сверхатомы или сверхантиатомы в зависимости от знака носителей заряда в них. К основным требованиям в формировании массивов КТ при эпитаксиальном наращивании является: - идентичность форм и размеров КТ; - однородность в их распределении; - величина поверхностной плотности КТ.

Слайд 18
Описание слайда:

Слайд 19
Описание слайда:
Наногетероэпитаксиальные структуры (НГЭС) представляют собой композит изготовленный на пластине из монокристаллического материала (подложке) и включающий монокристаллические нанообразования из различных материалов, имеющих в одном, двух или трёх измерениях нанометровые размеры, величина которых не должна превышать величину длины волны де Бройля для электрона (λ℮). Наногетероэпитаксиальные структуры (НГЭС) представляют собой композит изготовленный на пластине из монокристаллического материала (подложке) и включающий монокристаллические нанообразования из различных материалов, имеющих в одном, двух или трёх измерениях нанометровые размеры, величина которых не должна превышать величину длины волны де Бройля для электрона (λ℮). Физические процессы в таких нанообразованиях описываются аппаратом квантовой механики.

Слайд 20
Описание слайда:

Слайд 21
Описание слайда:

Слайд 22
Описание слайда:

Слайд 23
Описание слайда:

Слайд 24
Описание слайда:

Слайд 25
Описание слайда:

Слайд 26
Описание слайда:

Слайд 27
Описание слайда:

Слайд 28
Описание слайда:

Слайд 29
Описание слайда:

Слайд 30
Описание слайда:

Слайд 31
Описание слайда:

Слайд 32
Описание слайда:

Слайд 33
Описание слайда:

Слайд 34
Описание слайда:

Слайд 35
Описание слайда:

Слайд 36
Описание слайда:

Слайд 37
Описание слайда:

Слайд 38
Описание слайда:

Слайд 39
Описание слайда:

Слайд 40
Описание слайда:

Слайд 41
Описание слайда:

Слайд 42
Описание слайда:
Установки МВЕ

Слайд 43
Описание слайда:

Слайд 44
Описание слайда:
Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии: Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии: - Испарение всех матричных элементов, а также легирующих примесей из индивидуальных молекулярных источников. - Имеется возможность резкого прерывания молекулярного пучка любого из испаряемых веществ с помощью механических заслонок. Проведение эпитаксиального процесса в условиях сверхвысокого вакуума (p< 10-8­­ Па) Атомарно-чистая поверхность подложки перед эпитаксиальным наращиванием. - Проведение эпитаксиального процесса при относительно низких температурах роста (500-650оС). - Поддержание двумерного режима роста слоев, обеспечивающего получение атомарно-гладкой поверхности раздела выращиваемых гетероструктур. - Низкая скорость эпитаксии – от 1 до 2 мкм в час (0,1 нм/с). - Доступность фронта кристаллизации контролю различными физико-аналитическими методами.

Слайд 45
Описание слайда:

Слайд 46
Описание слайда:

Слайд 47
Описание слайда:

Слайд 48
Описание слайда:

Слайд 49
Описание слайда:

Слайд 50
Описание слайда:

Слайд 51
Описание слайда:

Слайд 52
Описание слайда:

Слайд 53
Описание слайда:

Слайд 54
Описание слайда:

Слайд 55
Описание слайда:

Слайд 56
Описание слайда:

Слайд 57
Описание слайда:

Слайд 58
Описание слайда:

Слайд 59
Описание слайда:

Слайд 60
Описание слайда:

Слайд 61
Описание слайда:
Технология (ЖФЭ с ИОП) выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками (НГЭС КТ)

Слайд 62
Описание слайда:
Чем обусловлено возрождение методов ЖФЭ? Чем обусловлено возрождение методов ЖФЭ? Выращивание, например, массивов КТ осуществляется по механизму Странского-Крастанова при различии в несколько процентов постоянных решеток материала КТ и матричного материала, используемого в качестве подложки и спейсерных слоев в многослойных НГЭС. Формирования массивов КТ включает рост на поверхности подложки упруго-напряженного «смачивающего» слоя материала КТ, на поверхности которого, при достижении некоторой критической толщины, в местах нониуса совершенства, происходит образование КТ. При перемещении носителей заряда вдоль оси многослойной НГЭС наличие «смачивающего» слоя между КТ приводит к генерационно-рекомбинационному току, который не позволяет реализовать характеристики, предсказываемые для приборов, созданных на основе НГЭС, не содержащих «смачивающих» слоев.

Слайд 63
Описание слайда:
Методы MЛЭ и MOCVD, нашедших широкое применение для получения различных НГЭС, не позволяют получать НГЭС без «смачивающих» слоев между КТ. Методы MЛЭ и MOCVD, нашедших широкое применение для получения различных НГЭС, не позволяют получать НГЭС без «смачивающих» слоев между КТ. Методы выращивания НГЭС в процессе ЖФЭ позволяют получать массивы КТ не содержащие упруго-напряженные «смачивающие» слои в промежутках между КТ. Формирование массива КТ в этом процессе определяется разностью химических потенциалов ΔµST атомов кристаллизуемого вещества в жидкой µL и твердой µS фазах, при наличии упругой энергии U(x), приходящейся на один атом с координатой x в упруго-напряженной области, в соответствии с выражением ∆µST=µT−µS − U(x)=∆µ−U(x) При U(х)<Δµ - происходит процесс кристаллизации, а при U(х)>Δµ - процесс растворения.

Слайд 64
Описание слайда:

Слайд 65
Описание слайда:
Установки LPE PCS

Слайд 66
Описание слайда:
Сравнение технологии получения наногетероструктур на основе соединений III-V

Слайд 67
Описание слайда:

Слайд 68
Описание слайда:

Слайд 69
Описание слайда:

Слайд 70
Описание слайда:

Слайд 71
Описание слайда:

Слайд 72
Описание слайда:

Слайд 73
Описание слайда:

Слайд 74
Описание слайда:

Слайд 75
Описание слайда:

Слайд 76
Описание слайда:


Скачать презентацию на тему Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур можно ниже:

Похожие презентации