Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур презентация
Содержание
- 17. Принципиальное отличие нанообразований, ограниченных нанометровыми размерами в трёх измерениях (квантовые точки,
- 19. Наногетероэпитаксиальные структуры (НГЭС) представляют собой композит изготовленный на пластине из монокристаллического
- 42. Установки МВЕ
- 44. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии: Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии: - Испарение всех матричных элементов,
- 61. Технология (ЖФЭ с ИОП) выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками
- 62. Чем обусловлено возрождение методов ЖФЭ? Чем обусловлено возрождение методов ЖФЭ? Выращивание,
- 63. Методы MЛЭ и MOCVD, нашедших широкое применение для получения различных НГЭС,
- 65. Установки LPE PCS
- 66. Сравнение технологии получения наногетероструктур на основе соединений III-V
- 77. Скачать презентацию
Слайды и текст этой презентации
Скачать презентацию на тему Технические средства наноэлектроники. Эпитаксиальные методы получения наноструктур можно ниже: