Презентация, доклад Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия


Вы можете изучить и скачать доклад-презентацию на тему Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия. Презентация на заданную тему содержит 9 слайдов. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций в закладки!
Презентации» Физика» Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия
Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического преобразователя
 Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустическогоE1,E2 – источники постоянного напряжения; M1 – миллиамперметр (мультиметр DT-838); Q1, R1, R2, D1, D2 – элементы токостабилизирующей нагрузки; М2 – микроамперметра) 			     	б)   
 1 – I = 1,00



Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Описание слайда:


Слайд 2
Описание слайда:
Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического преобразователя Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического преобразователя

Слайд 3
Описание слайда:

Слайд 4
Описание слайда:

Слайд 5
Описание слайда:

Слайд 6
Описание слайда:

Слайд 7
Описание слайда:
E1,E2 – источники постоянного напряжения; M1 – миллиамперметр (мультиметр DT-838); Q1, R1, R2, D1, D2 – элементы токостабилизирующей нагрузки; М2 – микроамперметр (мультиметр Mastech MS8222H); LED – инфракрасный светодиод Kingbright L-53SF6; STR – фотоприемник; V1 – вольтметр Рисунок 6 — Электрическая схема измерительного стенда для измерения семейства ВАХ фотоприемника при оптическом облучении

Слайд 8
Описание слайда:
а) б) 1 – I = 1,00 (IF = 16 мА); 2 – I = 0,21 (IF = 3,3 мА); 3 – I = 0,04 (IF = 0,7 мА) Рисунок 7 — Семейство ВАХ фотоприемника при различных интенсивностях света (а) и ВАХ в отсутствие освещения (б)

Слайд 9
Описание слайда:


Скачать презентацию на тему Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия можно ниже:

Похожие презентации