Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия презентация
Содержание
- 2. Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического преобразователя Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического
- 7. E1,E2 – источники постоянного напряжения; M1 – миллиамперметр (мультиметр DT-838); Q1, R1, R2, D1, D2 – элементы токостабилизирующей нагрузки; М2 – микроамперметр
- 8. а) б) 1 – I = 1,00 (IF = 16 мА); 2 – I = 0,21 (IF = 3,3 мА);
- 10. Скачать презентацию
Слайды и текст этой презентации
Скачать презентацию на тему Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия можно ниже: