Презентация, доклад Электротехническое материаловедение

Вы можете изучить и скачать доклад-презентацию на тему Электротехническое материаловедение. Презентация на заданную тему содержит 192 слайдов. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций в закладки!

Презентации» Физика» Электротехническое материаловедение
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕСостояния вещества
 ГАЗООБРАЗНОЕ
 ЖИДКОЕ
 ТВЁРДОЕ:Виды связей в веществе
 ХИМИЧЕСКИЕ
 энергия ~102кДж/моль:
 Ионная
 Ковалентная полярная
 Ковалентнаяγ = qn См/м, 1См=Ом 1
 γ = qn См/м, 1См=ОмСистема единиц СИ
 Основные
 Длина 	L [м]
 Масса 	М [кг]
 Времяявляется векторной суммой орбитальных и спиновых магнитных моментов электронов, 
 являетсяВекторная сумма магнитных моментов атомов в единице объёма называется 
 ВекторнаяДиамагнетизм – свойство вещества слабо намагничиваться противоположно внешнему магнитному полю
 МагнитнаяНамагничивание ферромагнетиков
 Доменом называется макроскопическая область материала, внутри которой намагниченность спонтанноУсловия возникновения доменной структуры (ферромагнетизма)
 Наличие внутренних незаполненных электронных оболочек (dОсобенность ферромагнетиков:
 Наличие доменной структуры
 Зависимость магнитного состояния от предшествующей магнитнойВЛИЯНИЕ ЧАСТОТЫ ПРИЛОЖЕННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ f НА ОТНОСИТЕЛЬНУЮ МАГНИТНУЮ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -
 вещества, основным свойством которых является сильная электропроводностьj = qnυ = qnµE
 j = qnυ = qnµE
 γПричины увеличения ρ удельного сопротивления с ростом ТКРИОПРОВОДИМОСТЬСВЕРХПРОВОДИМОСТЬВ объеме сверхпроводника нет магнитного поляКритические температуры TKР перехода в сверхпроводящее состояние
 Al = 1,19 °K
СВЕРХПРОВОДНИКИПРИРОДА СВЕРХПРОВОДИМОСТИВТСП – высокотемпературная сверхпроводимостьВсестороннее сжатие (растяжение)УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ СПЛАВОВρ сплавов как правило выше, чем  ρ чистых металловВлияние концентрации на удельное сопротивление сплава NiCuтермоЭДСКонструкции термопар
 1. Платина-Платинородий    до  1600 0С
Копель (44%Ni+56%Cu)
 Алюмель (95%Nl+Al; Si; Mn)
 Хромель (90%Nl+10%Cr)
 Платинородий (90%Pt+10%Rh)ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ МЕТАЛЛОВ
 Тепло в металлах передается в основном теми же свободнымиМеханические свойства проводниковКлассификация проводников по области примененияПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -
 вещества, основным свойством которых является сильная зависимость электропроводностиТемпературная зависимость подвижности µ с.н.з. в полупроводниках.Полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании зависимости электропроводности (сопротивления) n/nТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХГальваномагнитный эффект ХоллаОптические и фотоэлектрические явления в полупроводникахp-n переходДиэлектрические материалыКлассификация диэлектриковОсновные характеристики, описывающие поведение диэлектриков в электрических полях:
 Основные характеристики, описывающиеИзменение тока в диэлектрике при приложения постоянного напряженияУдельное поверхностное сопротивление: 
 Удельное поверхностное сопротивление: 
 S =1/S= RSУдельное объемное сопротивление
 Удельное объемное сопротивление
  V =1/ γV =ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ
 Поляризацией называется процесс смещения упруго связанных зарядов или ориентацияПО СПОСОБНОСТИ К ПОЛЯРИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИКИ ПОДРАЗДЕЛЯЮТСЯ:Различают 2 ВИДА поляризации:ЭЛЕКТРОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯИОННАЯ УПРУГАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯИОННО-РЕЛАКСАЦИОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯДИПОЛЬНО-РЕЛАКСАЦИОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯПри снятии приложенного Е ориентация дипольных моментов р нарушается хаотическим тепловымМИГРАЦИОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ  (междуслойная, структурная)Спонтанная поляризацияЗависимость  от температуры для неполярных диэлектриков :Диэлектрическими потерями называется энергия, рассеиваемая в диэлектрике при воздействии на негоВ постоянном поле:
 потери Р в диэлектрике обусловлены выделением тепла ДжоуляВ переменном поле:
 U = U0sinωt 
 U0 – амплитуда, 
В «идеальном» диэлектрике ток проводимости Ia=0. В переменном поле ток, протекающийУгол , дополняющий угол  до 90о: 
 Угол , дополняющийПотери на проводимость: Р = U2/R
 Потери на проводимость: Р =Удельными диэлектрическими потерями р называется мощность, рассеиваемая в данном единичном объёмеВиды диэлектрических потерь 
 1. Потери на сквозную электропроводимость.
 2. ПотериДиэлектрические потери на сквозную электропроводимость
 Диэлектрические потери на сквозную электропроводимость
 наблюдаютсяРТ – потери при Т; 
 РТ – потери при Т;Диэлектрические потери на медленные виды поляризации  проявляются в полярных диэлектрикахЕсли  << 1/f 
 Если  << 1/f 
 (областьЕсли  >>1/f , 
 Если  >>1/f , 
 (областьЕсли  ≈ 1/f, 
 Если  ≈ 1/f, 
 тоВремя установления τ релаксационных видов поляризации уменьшается с ростом температуры =>Диэлектрические потери на неоднородность структуры характерны для композиционных диэлектриков и диэлектриковДля композиционных материалов, состоящих из хороших диэлектриков, частота релаксации fр <В случае миграционной поляризации, как и дипольной, возникает интервал времен Ионизационные диэлектрические потери
 в пористых диэлектриках при повышении напряжения сверх порогаРезонансные диэлектрические потери
 Наблюдаются во всех диэлектриках.
 Происходят при дисперсии резонансногоРезонансные потери электронной поляризации имеют максимумы в оптическом диапазоне: инфракрасной, видимойМаксимумы резонансных потерь ионной поляризации наблюдаются в инфракрасном диапазоне на частотахПолный диэлектрический спектр
 р = рскв+ рд+ рион+ ррез+ рмигПробой диэлектриков
 Образование в диэлектрике электропроводящего канала под действием электрического поляПробой газовЭмпирический закон Пашена: 
 Эмпирический закон Пашена: 
 если длина разрядногоПробой жидких диэлектриков



Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Описание слайда:
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ


Слайд 2
Описание слайда:

Слайд 3
Описание слайда:
Состояния вещества ГАЗООБРАЗНОЕ ЖИДКОЕ ТВЁРДОЕ:

Слайд 4
Описание слайда:
Виды связей в веществе ХИМИЧЕСКИЕ энергия ~102кДж/моль: Ионная Ковалентная полярная Ковалентная неполярная Металлическая

Слайд 5
Описание слайда:

Слайд 6
Описание слайда:
γ = qn См/м, 1См=Ом 1 γ = qn См/м, 1См=Ом 1 удельная электрическая проводимость  =1/ [Омм] удельное электрическое сопротивление  и γ характеризуют электрические свойства материала

Слайд 7
Описание слайда:

Слайд 8
Описание слайда:

Слайд 9
Описание слайда:

Слайд 10
Описание слайда:
Система единиц СИ Основные Длина L [м] Масса М [кг] Время t [с] Сила эл.тока I [А] Температура Т [ºК] Сила света [св] Вспомогательные Плоский угол [рад] Телесный угол [стер]

Слайд 11
Описание слайда:
является векторной суммой орбитальных и спиновых магнитных моментов электронов, является векторной суммой орбитальных и спиновых магнитных моментов электронов, а также магнитного момента ядра, который составляет 10−3 магнитного момента электрона.

Слайд 12
Описание слайда:
Векторная сумма магнитных моментов атомов в единице объёма называется Векторная сумма магнитных моментов атомов в единице объёма называется намагниченностью М [А/м]:

Слайд 13
Описание слайда:

Слайд 14
Описание слайда:

Слайд 15
Описание слайда:
Диамагнетизм – свойство вещества слабо намагничиваться противоположно внешнему магнитному полю Магнитная восприимчивость χ  -10−5  -10−7 Магнитная проницаемость µ  0,9999 Диамагентики Cu, Ag, Au, Be, Zn, Ga, B, Pb, Sb

Слайд 16
Описание слайда:

Слайд 17
Описание слайда:

Слайд 18
Описание слайда:

Слайд 19
Описание слайда:

Слайд 20
Описание слайда:
Намагничивание ферромагнетиков Доменом называется макроскопическая область материала, внутри которой намагниченность спонтанно (Н=0) достигает насыщения, т. е. внутри домена магнитные моменты практически всех атомов ориентированы в одном направлении.

Слайд 21
Описание слайда:
Условия возникновения доменной структуры (ферромагнетизма) Наличие внутренних незаполненных электронных оболочек (d или f) атома; Величина интеграла обменной энергии А>0, что выполняется если диаметр незаполненных оболочек мал по сравнению с межатомным расстоянием кристаллической решетки: a/d>1,5.

Слайд 22
Описание слайда:

Слайд 23
Описание слайда:

Слайд 24
Описание слайда:

Слайд 25
Описание слайда:

Слайд 26
Описание слайда:

Слайд 27
Описание слайда:
Особенность ферромагнетиков: Наличие доменной структуры Зависимость магнитного состояния от предшествующей магнитной истории Наличие температуры Кюри

Слайд 28
Описание слайда:

Слайд 29
Описание слайда:
ВЛИЯНИЕ ЧАСТОТЫ ПРИЛОЖЕННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ f НА ОТНОСИТЕЛЬНУЮ МАГНИТНУЮ ПРОНИЦАЕМОСТЬ 

Слайд 30
Описание слайда:

Слайд 31
Описание слайда:

Слайд 32
Описание слайда:

Слайд 33
Описание слайда:

Слайд 34
Описание слайда:

Слайд 35
Описание слайда:
ПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ - вещества, основным свойством которых является сильная электропроводность

Слайд 36
Описание слайда:

Слайд 37
Описание слайда:

Слайд 38
Описание слайда:

Слайд 39
Описание слайда:

Слайд 40
Описание слайда:
j = qnυ = qnµE j = qnυ = qnµE γ = qnµ удельная эл. проводимость [См/м] j = γE = E/ρ закон Ома, ρ = 1/γ удельное эл. сопротивление [Ом·м], 1См = 1Ом−1 R = ρ·ℓ/S [Ом], или ρ = R·S/ℓ

Слайд 41
Описание слайда:

Слайд 42
Описание слайда:
Причины увеличения ρ удельного сопротивления с ростом Т

Слайд 43
Описание слайда:

Слайд 44
Описание слайда:
КРИОПРОВОДИМОСТЬ

Слайд 45
Описание слайда:
СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ

Слайд 46
Описание слайда:

Слайд 47
Описание слайда:
В объеме сверхпроводника нет магнитного поля

Слайд 48
Описание слайда:
Критические температуры TKР перехода в сверхпроводящее состояние Al = 1,19 °K Cd = 0,56 °K Sn = 3,722 °K Zn = 0,875 °K Nb3Ge = 23,2 °K

Слайд 49
Описание слайда:
СВЕРХПРОВОДНИКИ

Слайд 50
Описание слайда:
ПРИРОДА СВЕРХПРОВОДИМОСТИ

Слайд 51
Описание слайда:
ВТСП – высокотемпературная сверхпроводимость

Слайд 52
Описание слайда:

Слайд 53
Описание слайда:
Всестороннее сжатие (растяжение)

Слайд 54
Описание слайда:
УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ СПЛАВОВ

Слайд 55
Описание слайда:
ρ сплавов как правило выше, чем ρ чистых металлов

Слайд 56
Описание слайда:
Влияние концентрации на удельное сопротивление сплава NiCu

Слайд 57
Описание слайда:

Слайд 58
Описание слайда:

Слайд 59
Описание слайда:

Слайд 60
Описание слайда:
термоЭДС

Слайд 61
Описание слайда:
Конструкции термопар 1. Платина-Платинородий до 1600 0С 2. Хромель-Алюмель до 1000 0С 3. Железо-Константан Железо-Копель до 600 0С Хромаль-Копель 4. Медь-Константан до 350 0С Медь-Копель 5. Железо-Золото до (10÷100) 0К

Слайд 62
Описание слайда:
Копель (44%Ni+56%Cu) Алюмель (95%Nl+Al; Si; Mn) Хромель (90%Nl+10%Cr) Платинородий (90%Pt+10%Rh)

Слайд 63
Описание слайда:

Слайд 64
Описание слайда:
ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ МЕТАЛЛОВ Тепло в металлах передается в основном теми же свободными электронами, которые определяют электропроводность

Слайд 65
Описание слайда:
Механические свойства проводников

Слайд 66
Описание слайда:
Классификация проводников по области применения

Слайд 67
Описание слайда:

Слайд 68
Описание слайда:

Слайд 69
Описание слайда:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ - вещества, основным свойством которых является сильная зависимость электропроводности от внешних факторов

Слайд 70
Описание слайда:

Слайд 71
Описание слайда:

Слайд 72
Описание слайда:

Слайд 73
Описание слайда:

Слайд 74
Описание слайда:

Слайд 75
Описание слайда:
Температурная зависимость подвижности µ с.н.з. в полупроводниках.

Слайд 76
Описание слайда:

Слайд 77
Описание слайда:

Слайд 78
Описание слайда:

Слайд 79
Описание слайда:

Слайд 80
Описание слайда:

Слайд 81
Описание слайда:
Полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании зависимости электропроводности (сопротивления) n/n от напряженности электрического поля называется Полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании зависимости электропроводности (сопротивления) n/n от напряженности электрического поля называется ВАРИСТОРОМ В качестве материалов для изготовления варисторов используют: а) карбид кремния (СН1) б) селен (СН2)

Слайд 82
Описание слайда:
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Слайд 83
Описание слайда:

Слайд 84
Описание слайда:

Слайд 85
Описание слайда:

Слайд 86
Описание слайда:

Слайд 87
Описание слайда:
Гальваномагнитный эффект Холла

Слайд 88
Описание слайда:

Слайд 89
Описание слайда:

Слайд 90
Описание слайда:
Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках

Слайд 91
Описание слайда:

Слайд 92
Описание слайда:

Слайд 93
Описание слайда:

Слайд 94
Описание слайда:

Слайд 95
Описание слайда:
p-n переход

Слайд 96
Описание слайда:

Слайд 97
Описание слайда:

Слайд 98
Описание слайда:

Слайд 99
Описание слайда:
Диэлектрические материалы

Слайд 100
Описание слайда:
Классификация диэлектриков

Слайд 101
Описание слайда:

Слайд 102
Описание слайда:
Основные характеристики, описывающие поведение диэлектриков в электрических полях: Основные характеристики, описывающие поведение диэлектриков в электрических полях: 1. Электропроводность γ (ρ) 2. Поляризация ε 3. Диэлектрические потери tgδ 4. Электрическая прочность EПР

Слайд 103
Описание слайда:

Слайд 104
Описание слайда:
Изменение тока в диэлектрике при приложения постоянного напряжения

Слайд 105
Описание слайда:
Удельное поверхностное сопротивление: Удельное поверхностное сопротивление: S =1/S= RS d/ℓ [Ом]

Слайд 106
Описание слайда:
Удельное объемное сопротивление Удельное объемное сопротивление V =1/ γV = RVS/h [Ом·м]

Слайд 107
Описание слайда:

Слайд 108
Описание слайда:

Слайд 109
Описание слайда:

Слайд 110
Описание слайда:

Слайд 111
Описание слайда:

Слайд 112
Описание слайда:

Слайд 113
Описание слайда:

Слайд 114
Описание слайда:

Слайд 115
Описание слайда:

Слайд 116
Описание слайда:
ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ Поляризацией называется процесс смещения упруго связанных зарядов или ориентация диполей под действием электрического поля.

Слайд 117
Описание слайда:

Слайд 118
Описание слайда:

Слайд 119
Описание слайда:

Слайд 120
Описание слайда:
ПО СПОСОБНОСТИ К ПОЛЯРИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИКИ ПОДРАЗДЕЛЯЮТСЯ:

Слайд 121
Описание слайда:
Различают 2 ВИДА поляризации:

Слайд 122
Описание слайда:
ЭЛЕКТРОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ

Слайд 123
Описание слайда:
ИОННАЯ УПРУГАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ

Слайд 124
Описание слайда:
ИОННО-РЕЛАКСАЦИОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ

Слайд 125
Описание слайда:
ДИПОЛЬНО-РЕЛАКСАЦИОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ

Слайд 126
Описание слайда:
При снятии приложенного Е ориентация дипольных моментов р нарушается хаотическим тепловым движением молекул, и суммарная поляризованность Р спадает с течением времени t:

Слайд 127
Описание слайда:
МИГРАЦИОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ (междуслойная, структурная)

Слайд 128
Описание слайда:
Спонтанная поляризация

Слайд 129
Описание слайда:

Слайд 130
Описание слайда:

Слайд 131
Описание слайда:

Слайд 132
Описание слайда:
Зависимость  от температуры для неполярных диэлектриков :

Слайд 133
Описание слайда:

Слайд 134
Описание слайда:

Слайд 135
Описание слайда:

Слайд 136
Описание слайда:

Слайд 137
Описание слайда:

Слайд 138
Описание слайда:

Слайд 139
Описание слайда:
Диэлектрическими потерями называется энергия, рассеиваемая в диэлектрике при воздействии на него электрического поля Е и вызывающая нагрев диэлектрика. Диэлектрические потери наблюдаются как при переменном, так и при постоянном напряжении.

Слайд 140
Описание слайда:
В постоянном поле: потери Р в диэлектрике обусловлены выделением тепла Джоуля при прохождении сквозного тока: Р = U2/R , R – сопротивление диэлектрика, U – приложенная разность потенциалов.

Слайд 141
Описание слайда:
В переменном поле: U = U0sinωt U0 – амплитуда, ω = 2f – круговая частота переменного напряжения Энергия поля затрачивается на: выделение тепла Джоуля; медленные виды поляризации.

Слайд 142
Описание слайда:

Слайд 143
Описание слайда:
В «идеальном» диэлектрике ток проводимости Ia=0. В переменном поле ток, протекающий через конденсатор – это ток смещения в диэлектрике I=Ir. В «идеальном» диэлектрике ток проводимости Ia=0. В переменном поле ток, протекающий через конденсатор – это ток смещения в диэлектрике I=Ir. В «идеальном» диэлектрике ток I отстаёт по фазе от вектора напряжения Е на 90о. В хороших диэлектриках угол сдвига фаз  близок к 90о.

Слайд 144
Описание слайда:
Угол , дополняющий угол  до 90о: Угол , дополняющий угол  до 90о:  = 90о  . наз. углом диэлектрических потерь. Отношение активной и реактивной составляющих полного тока: tg = Ia/Ir, наз. тангенсом угла диэлектрических потерь, который м.б. определён экспериментально.

Слайд 145
Описание слайда:
Потери на проводимость: Р = U2/R Потери на проводимость: Р = U2/R Ia = U/Rа => Р = UIa ; Ia = Ir tg => Р = UIrtg. Ir = UωС => Р = U2 ωСtg Вт Чем больше tg изоляции, тем сильнее она нагревается в переменном поле. Для неоднородного диэлектрика или поля, формула даёт среднее значение потерь по всему объёму диэлектрика, или полные диэлектрические потери.

Слайд 146
Описание слайда:
Удельными диэлектрическими потерями р называется мощность, рассеиваемая в данном единичном объёме диэлектрика. Удельными диэлектрическими потерями р называется мощность, рассеиваемая в данном единичном объёме диэлектрика. С = 0,  = S/ℓ, U = Еℓ р = Е2 ω0tg Вт/м3. Чем больше  и tg, тем больше потери р в данном месте диэлектрика. tg – коэффициент диэлектрических потерь

Слайд 147
Описание слайда:
Виды диэлектрических потерь 1. Потери на сквозную электропроводимость. 2. Потери на медленные виды поляризации. 3. Потери на неоднородность структуры диэлектрика. 4. Ионизационные потери. 5. Резонансные потери.

Слайд 148
Описание слайда:
Диэлектрические потери на сквозную электропроводимость Диэлектрические потери на сквозную электропроводимость наблюдаются во всех диэлектриках

Слайд 149
Описание слайда:
РТ – потери при Т; РТ – потери при Т; Р0 – потери при Т= 0оС (или 20 оС);  – постоянная, определяемая свойствами диэлектрика.

Слайд 150
Описание слайда:
Диэлектрические потери на медленные виды поляризации проявляются в полярных диэлектриках и только в переменных электрических полях

Слайд 151
Описание слайда:
Если  << 1/f Если  << 1/f (область очень низких частот поля), То Р успевает следовать за Е, и PdE=0.

Слайд 152
Описание слайда:
Если  >>1/f , Если  >>1/f , (область очень высоких частот поля), то поляризация не успевает установиться за полупериод изменения Е, Р=0 и PdE=0.

Слайд 153
Описание слайда:
Если  ≈ 1/f, Если  ≈ 1/f, то Р отстает по фазе от Е, и PdE >0. На поляризацию затрачивается энергия поля E, переходящая в диэлектрические потери.

Слайд 154
Описание слайда:
Время установления τ релаксационных видов поляризации уменьшается с ростом температуры => с ростом Т максимум диэлектрической дисперсии смещается в область более высоких частот электрического поля. Время установления τ релаксационных видов поляризации уменьшается с ростом температуры => с ростом Т максимум диэлектрической дисперсии смещается в область более высоких частот электрического поля.

Слайд 155
Описание слайда:

Слайд 156
Описание слайда:
Диэлектрические потери на неоднородность структуры характерны для композиционных диэлектриков и диэлектриков с примесями (в том числе и проводящими) гетинакс, текстолит, слюдопласты, керамика, компаунды, пропитанные материалы и т.д.

Слайд 157
Описание слайда:
Для композиционных материалов, состоящих из хороших диэлектриков, частота релаксации fр < 1 Гц и миграционные потери малы даже на промышленной частоте (50 Гц). Для композиционных материалов, состоящих из хороших диэлектриков, частота релаксации fр < 1 Гц и миграционные потери малы даже на промышленной частоте (50 Гц). Если в диэлектрике есть проводящие включения, то fр оказывается в области рабочих частот и миграционные потери необходимо учитывать. Так, при увлажнении tgδ диэлектрика возрастает, так как проводимость воды велика.

Слайд 158
Описание слайда:
В случае миграционной поляризации, как и дипольной, возникает интервал времен  релаксации, что приводит к увеличению частотного интервала миграционных потерь. В случае миграционной поляризации, как и дипольной, возникает интервал времен  релаксации, что приводит к увеличению частотного интервала миграционных потерь. Причина: неодинаковые свойства основной среды и проводящих включений диэлектрика, неодинаковая форма и ориентация включений. С ростом Т удельная проводимость γ растет экспоненциально, поэтому частота релаксации и максимума миграционных потерь повышается с ростом температуры.

Слайд 159
Описание слайда:
Ионизационные диэлектрические потери в пористых диэлектриках при повышении напряжения сверх порога ионизации Uион

Слайд 160
Описание слайда:

Слайд 161
Описание слайда:
Резонансные диэлектрические потери Наблюдаются во всех диэлектриках. Происходят при дисперсии резонансного характера, когда частота электрического поля приближается к частотам собственных колебаний электронов или ионов.

Слайд 162
Описание слайда:
Резонансные потери электронной поляризации имеют максимумы в оптическом диапазоне: инфракрасной, видимой и ультрафиолетовой областях спектра (на частотах 1014–1017 Гц). Резонансные потери электронной поляризации имеют максимумы в оптическом диапазоне: инфракрасной, видимой и ультрафиолетовой областях спектра (на частотах 1014–1017 Гц). С ними связано поглощение света веществом. Потери сопровождаются частотной зависимостью показателя преломления и максимальны в области т.н. «аномальной» дисперсии, где  снижается с ростом .

Слайд 163
Описание слайда:
Максимумы резонансных потерь ионной поляризации наблюдаются в инфракрасном диапазоне на частотах 1013–1014 Гц. Максимумы резонансных потерь ионной поляризации наблюдаются в инфракрасном диапазоне на частотах 1013–1014 Гц. В веществах с высокой ε, а также в стеклах и ситаллах, где есть слабо связанные ионы, частоты ионного резонанса могут быть ниже (1012 Гц). В этом случае начало резонансного максимума потерь захватывает диапазон СВЧ (109–1010 Гц).

Слайд 164
Описание слайда:
Полный диэлектрический спектр р = рскв+ рд+ рион+ ррез+ рмиг

Слайд 165
Описание слайда:
Пробой диэлектриков Образование в диэлектрике электропроводящего канала под действием электрического поля называют пробоем.

Слайд 166
Описание слайда:

Слайд 167
Описание слайда:

Слайд 168
Описание слайда:

Слайд 169
Описание слайда:

Слайд 170
Описание слайда:
Пробой газов

Слайд 171
Описание слайда:

Слайд 172
Описание слайда:

Слайд 173
Описание слайда:

Слайд 174
Описание слайда:
Эмпирический закон Пашена: Эмпирический закон Пашена: если длина разрядного промежутка h и давление газа р изменяются так, что h·р=const, то и UПР=const. Т.е. UПР газов является функцией произведения рh.

Слайд 175
Описание слайда:

Слайд 176
Описание слайда:

Слайд 177
Описание слайда:

Слайд 178
Описание слайда:

Слайд 179
Описание слайда:
Пробой жидких диэлектриков

Слайд 180
Описание слайда:

Слайд 181
Описание слайда:

Слайд 182
Описание слайда:

Слайд 183
Описание слайда:

Слайд 184
Описание слайда:

Слайд 185
Описание слайда:

Слайд 186
Описание слайда:

Слайд 187
Описание слайда:

Слайд 188
Описание слайда:

Слайд 189
Описание слайда:

Слайд 190
Описание слайда:

Слайд 191
Описание слайда:

Слайд 192
Описание слайда:


Скачать презентацию на тему Электротехническое материаловедение можно ниже:

Похожие презентации