Презентация, доклад Лекція 7. Поруваті матеріали. Одноелектронні явища. Тунельно-резонансні явища


Вы можете изучить и скачать доклад-презентацию на тему Лекція 7. Поруваті матеріали. Одноелектронні явища. Тунельно-резонансні явища. Презентация на заданную тему содержит 54 слайдов. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций в закладки!
Презентации» Физика» Лекція 7. Поруваті матеріали. Одноелектронні явища. Тунельно-резонансні явища
500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500



Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Описание слайда:
Поруваті матеріали. Одноелектронні явища. Тунельно-резонансні явища.

Слайд 2
Описание слайда:
Поруватий кремній


Слайд 3
Описание слайда:
Особливості поруватої структури

Слайд 4
Описание слайда:
Морфологія поруватого кремнія

Слайд 5
Описание слайда:
Люмінесцентні властивості поруватого кремнію

Слайд 6
Описание слайда:
Фізико-хімічні властивості сапфіра

Слайд 7
Описание слайда:
Фізико-хімічні властивості рубіна

Слайд 8
Описание слайда:
Поруватий оксид алюмінія (Al2O3)

Слайд 9
Описание слайда:
Процес формування пор

Слайд 10
Описание слайда:
Плівки з впорядкованими порами

Слайд 11
Описание слайда:
Застосування пористих плівок Al2O3

Слайд 12
Описание слайда:
Схема вирощування нанодисків із Au з використанням плівок AAO

Слайд 13
Описание слайда:
Вирощування масивів квантових точок з використанням плівок ААО

Слайд 14
Описание слайда:
Цеоліти

Слайд 15
Описание слайда:
Структури цеолітів

Слайд 16
Описание слайда:
Застосування нанопористих мембран

Слайд 17
Описание слайда:
Стандартна технологія отримання нанопористих мембран

Слайд 18
Описание слайда:
Сучасні біо-контейнери

Слайд 19
Описание слайда:
Наноаерогелі

Слайд 20
Описание слайда:
Основні властивості аерогелей

Слайд 21
Описание слайда:
Одноелектронні явища. Прилади з одним Кулонівським бар’єром.

Слайд 22
Описание слайда:
Одноелектронні прилади з двома Кулонівськими бар’єрами

Слайд 23
Описание слайда:
Зонна діаграма та ВАХ приладу з двома Кулонівськими бар’єрами

Слайд 24
Описание слайда:
ВАХ приладу з двома різними показниками прозорості бар’єрів

Слайд 25
Описание слайда:
Одноелектронний транзистор (single-electron transistor)

Слайд 26
Описание слайда:
Співвідношення між напругами на контактах одноелектронного транзистора при яких зберігається певна кількість електронів на острівці

Слайд 27
Описание слайда:
Характеристики одноелектронного транзистору

Слайд 28
Описание слайда:
Одноелектронна пастка (single-electron turnstile)

Слайд 29
Описание слайда:
Одноелектронний турнікет, генератор накачки (single-electron pump)

Слайд 30
Описание слайда:
Стандарти постійного струму (DC current standard )

Слайд 31
Описание слайда:
Одноелектронна логіка (single-electron parametron)

Слайд 32
Описание слайда:
Тунельно-резонансна електроніка

Слайд 33
Описание слайда:

Слайд 34
Описание слайда:

Слайд 35
Описание слайда:
Потенціальний бар’єр Аналогічно: (задавши хвильові функції + граничні умови) Отримаємо коефіцієнт пропускання

Слайд 36
Описание слайда:

Слайд 37
Описание слайда:

Слайд 38
Описание слайда:

Слайд 39
Описание слайда:
Резонансне тунелювання

Слайд 40
Описание слайда:
ДБРТ –структури

Слайд 41
Описание слайда:
Тунельний діод (діод Есакі)

Слайд 42
Описание слайда:
Діод

Слайд 43
Описание слайда:
Резонансний тунельний діод

Слайд 44
Описание слайда:
Резонансно - тунельний діод I = f(U), I – струм, U – прикладена напруга. Якщо прикладена напруга мала, та E електронів, що проходять через потенціальний бар’єр < E дискретного рівня, то прозорість бар’єра і, струм, що протікає - малі. I -> max при напругах, коли Е електронів = E дискретного рівня. При более высоких напряжениях энергия электронов станет больше энергии дискретного уровня, и прозрачность барьера для электронов уменьшится.

Слайд 45
Описание слайда:

Слайд 46
Описание слайда:

Слайд 47
Описание слайда:
Резонансно-тунельний діод з керуючим затвором

Слайд 48
Описание слайда:
Резонансно-тунельні транзистори

Слайд 49
Описание слайда:
Резонансно-тунельний біполярний транзистор

Слайд 50
Описание слайда:
Транзистори на гарячих електронах з резонансним тунелюванням

Слайд 51
Описание слайда:
ДБРТ структури з блокуючими бар’єрами та їх характеристики

Слайд 52
Описание слайда:
Керований затвором резонансно-тунельний діод (GRTD)

Слайд 53
Описание слайда:
Логічні елементи на тунельно-резонансних транзисторах

Слайд 54
Описание слайда:
Транзистори на гарячих електронах


Скачать презентацию на тему Лекція 7. Поруваті матеріали. Одноелектронні явища. Тунельно-резонансні явища можно ниже:

Похожие презентации