Презентация, доклад Властивості моделей. Симетрія у фізиці


Вы можете изучить и скачать доклад-презентацию на тему Властивості моделей. Симетрія у фізиці. Презентация на заданную тему содержит 25 слайдов. Для просмотра воспользуйтесь проигрывателем, если материал оказался полезным для Вас - поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте наш сайт презентаций в закладки!
Презентации» Физика» Властивості моделей. Симетрія у фізиці
500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500500



Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Описание слайда:
Властивості моделей Модель є замінником реального об'єкта і володіє, принаймні, двома властивостями: а) вона відображає ті властивості об'єкта, які істотні для даного дослідження; б) завжди простіше об'єкта. Модель повинна бути: - адекватною; - надійною; - простою і зрозумілою користувачу; - спрямованою на досягнення поставлених цілей дослідження; - зручною у використанні (ергономічною); - функціонально повною з точки зору можливостей вирішення головних завдань; - адаптивною, що дозволяє легко переходити до інших модифікацій або оновлювати дані; - допускаючою зміни (в процесі експлуатації вона може ускладнюватися). Формою графічного представлення інформації про модельовану систему можуть бути [6]: - операторно-структурні схеми, прийняті в ТАУ; - функціональні та принципові схеми різних фізичних пристроїв; - кінематичні схеми механізмів; - сигнальні графи (SFG); - графи зв'язків або зв'язані графи (BG); - блок-схеми алгоритмів та інші графічні моделі.

Слайд 2
Описание слайда:
Симетрія у фізиці Принцип: — Закон збереження: Однорідність часу —…енергії Ізотропність часу —…парності Однорідність простору —…імпульсу Ізотропність простору —…моменту імпульсу Інваріантність — … енергії-імпульса, у чотиривимірному просторі-часі


Слайд 3
Описание слайда:
Рівняння Максвелла ρ — щільність стороннього електричного заряду (в СІ — Кл/м³); j — щільність електричного струму (струму провідності) (в СІ — А/м²); c — швидкість светла в вакуумі (299 792 458 м/с); E — напруженість електричного поля (в СІ — В/м); H — напруженість магнітного поля (в СІ — А/м); D — електрична індукція (в СІ — Кл/м²); B — магнітна індукція (в СІ — Тл = Вб/м²);   — диференційний оператор набла, при цьому: × — означає ротор вектора, ·  — означає дівергенцію вектора.

Слайд 4
Описание слайда:
Фундаментальна система рівнянь напівпровідника (ФСР) складається з двох рівнянь переносу, двох рівнянь безперервності та рівняння Пуассона де J - щільність струму; q - елементарний заряд; μ - рухливість носіїв; E - напруженість електричного поля; D - коефіцієнт дифузії; n і p - концентрація електронів і дірок відповідно; τ - час життя носіїв заряду; εr - відносна діелектрична проникність; ε0 - електрична постійна; N - концентрація домішок (D - донорна, A - акцепторна).

Слайд 5
Описание слайда:
Модель “ящика” Зовнішні (Q) Вхідні (X) Внутрішні (W) Вихідні (Y)   Y=F(X,Q) – чорний ящик Y=F(W,X,Q) – білий ящик Y=F(W,X,Q, u) – білий ящик із невизначеністю

Слайд 6
Описание слайда:
Моделі пасивних елементів а б в Еквівалентні схеми: а – резистора, б – конденсатора, в – котушки індуктивності

Слайд 7
Описание слайда:
Математична модель трансформатора U1, U2, I1, I2 – напруги та струми первинної та вторинної обмоток; m – магнітна проникність матеріалу осердя; s, l – площа перетину та довжина осердя трансформатора; w1, w2– кількість витків первинної та вторинної обмоток; n – коефіцієнт трансформації.

Слайд 8
Описание слайда:
Модель діоду Ifwd – прямий струм діода; Irev – зворотний струм діода . In = IS {exp[V/(NR Vt)]-1} – нормальна складова прямого струму Ifwd; Irec = ISR{exp[V/(NRVt)]-1} – струм рекомбінації. Сt - дифузійна ємність переходу; Ct = TT·G; Cj – бар’єрна ємність переходу; G = d(Kinj l)/dV – диференційна провідність переходу для поточних значень I та V.

Слайд 9
Описание слайда:
Процеси перемикання діоду вмикання вимикання

Слайд 10
Описание слайда:
Параметри діоду Максимально допустимі значення (не повинні бути перевищені): URRM – максимальна повторювана імпульсна зворотна напруга синусоїдальної форми на частоті 50 Гц; URSM – неповторювана імпульсна зворотна напруга при певній температурі Tj (наприклад, від -60 оС до +75 оС); тривалість URSM короткочасна (десятки мкс), імпульси зумовлені грозовим розрядом, або перехідними процесами в зовнішній мережі; IRRM – амплітудне значення повторюваного імпульсного зворотного струму при температурі структури (Tj = 175 оС) і зворотній напрузі UR = URRM ; IFAV – максимально допустимий середній прямий струм за період при певному значенні температури корпусу приладу; IFRMS – діюче значення прямого струму діоду; IFSM – ударний неповторюваний прямий струм, що нагріває напівпровідникову структуру до температури вище допустимої; – захисний показник: значення інтегралу від квадрату ударного струму діода за час його протікання tp . Для захисту СНП при короткому замиканні у навантаженні перетворювача, захисний показник запобіжника має бути нижче захисного показника приладу, який він захищає; Tj – температура напівпровідникової структури, визначається експериментально, або шляхом виконання розрахунків по тепловим параметрам приладу і охолоджувача, та втратам потужності в приладі.  Електричні характеристики: UFM – імпульсна пряма напруга, найбільше миттєве значення основної напруги на діоді, зумовлене імпульсним струмом; UF0 – порогова пряма напруга, близька до контактної різниці потенціалів; rF – динамічний опір у відкритому стані; Q rr – заряд зворотного відновлення, витікає при перемиканні із заданого струму IF на задану зворотну напругу UR.

Слайд 11
Описание слайда:
Модель Еберса –Молла для БТ

Слайд 12
Описание слайда:

Слайд 13
Описание слайда:
Класифікація методів оптимізації

Слайд 14
Описание слайда:

Слайд 15
Описание слайда:
Можливості CAE і CAS CAE (Computer Aided Engineering) системи дозволяють досліджувати системи на макрорівні, тобто аналізувати та оптимізувати систему із ціллю прийняття рішення щодо топології (структурний підхід) та функціональних можливостей в цілому (системний підхід). На даний момент існує багато програм САЕ, які дозволяють моделювати ДС різної природи (біологічні, економічні, соціальні, технічні), причому деякі є вузькоспеціалізованими, а інші – більш універсальними: Vensim, IThink, Dynamo, Stella, Powersim, MedModel, Arena, GPSS, Stratum, Scilab, Berkeley Madonna, NI MATRIXX, ACSLx, Modular Modeling System (MMS), Virtual Test Bed (VTB), JModelica.org, Yenka (Crocodile Technology), MATLAB\Simulink, Simscape, MapleSim, Dynast, Multisim, K2.SimKernel, Jigrein, EASY5, AMESim, Dymola, PSIM, SamSim, SimApp, SimulationX, Simplorer, VisSim, SystemModeler, 20-sim, ПК МВТУ CAS (Computer Algebra System), які можуть розв’язувати диференціальні рівняння (чисельно чи у символічній формі): Maple, MATLAB, Mathcad, Mathematica, Maxima, SymPy, O-Matrix, SciPy, Octave, NumPy, Python(x,y), MuPAD, Sage та інш.

Слайд 16
Описание слайда:
Моделювання в CAS (різні підходи)

Слайд 17
Описание слайда:
Моделювання в САЕ (різні підходи) Каузальний підхід: Блок-схема (бібліотека «Signal») коливальної ланки Акаузальний підхід: фізична схема (бібліотека «Iconic diagrams») Каузальний підхід: модель ланки в формі зв’язаного графа (бібліотека «Bond Graph»)

Слайд 18
Описание слайда:
Віртуальна аналогова обчислювальна машина (квазікаузальний підхід – системний рівень в ECAD)

Слайд 19
Описание слайда:
Квазікаузальний підхід – структурний рівень в ECAD

Слайд 20
Описание слайда:
Порівняння можливостей CAD / САS / САЕ

Слайд 21
Описание слайда:
САЕ VisSim та додаткові модулі

Слайд 22
Описание слайда:
Структура 20-sim

Слайд 23
Описание слайда:

Слайд 24
Описание слайда:

Слайд 25
Описание слайда:
Структура ECAD


Скачать презентацию на тему Властивості моделей. Симетрія у фізиці можно ниже:

Похожие презентации