Введение в эпитаксиальные технологии презентация

Введение в эпитаксиальные технологии Ильдар Набиуллин Академический университет РАН

Зонная структура Формирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных атомов

Переход от атома к решётке

Взаимодействие изолированного атома с квантом света

Вынужденное излучение

Излучательная рекомбинация электрона и дырки

Устройство инжекционного п/п лазера

Устройство инжекционного п/п лазера

Окна прозрачности оптического волокна

Нобелевская премия 20 века Жорес Иванович Алфёров Prize motivation: "for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics"

Эпитаксия επι – на , ταξισ – упорядоченность

Классификация эпитаксии по агрегатному состоянию среды

Рассогласование по параметру решётки

Метод измерения кривизны растущей структуры

Латеральный рост

Вакуумная лампа накаливания

Газонаполненная лампа накаливания

Галогеновая лампа накаливания

Механизм роста

Газофазная эпитаксия

Схема реактора

Скоростной и концентрационный пограничные слои

Пограничный слой

Механизм роста

Примеры установок

Молекулярно-пучковая эпитаксия

Ячейка Кнудсена

Типичная МПЭ установка

Другие виды эпитаксии Конденсация из паровой фазы в вакууме. Метод заключается в испарении или распылении материала в вакууме и осаждении его на монокристаллическую подложку. Жидкофазная эпитаксия. Заключается в наращивании монокристаллического слоя из металлического расплава, насыщенного полупроводниковым материалом. Твердофазная эпитаксия. При нагреве многослойной структуры происходит перекристаллизация одной из фаз и ее ориентированный рост на монокристаллическую подложку.

Контакты Ильдар Набиуллин Студент 1 курса магистратуры СПбАУ РАН Телефон: +7 912 596 91 36 Эл. почта: nabildar@yandex.ru